挨着菜市却摆摊 马路又成菜市场

对我而言，印象最深刻的，一是明晰了新时代新征程中国共产党的使命任务，二是对人民的强调，深刻体现了中国共产党为了人民、依靠人民的价值指向。

牛望道说，复旦是中国顶尖高校之一，能够到访复旦十分荣幸。展厅内，牛望道仔细观看展品

首届复旦上医分会理事会成员为：首任会长、国家卫生健康委员会卫生技术评估重点实验室（复旦大学）副主任、市欧美同学会常务理事钱序代表首届班子成员发言。复旦大学上海医学院分会是上海市欧美同学会的第109个分支机构，也是第29个院校分会。桂永浩宣读了上海市欧美同学会批复成立文件。她表示，将会与分会各位副会长和理事们共同努力，在复旦大学上海医学院党委和市欧美同学会的领导下，遵循联络、凝聚、服务、奉献的宗旨，务实开展分会各类活动，为学校事业发展凝心聚力、贡献力量。桂永浩指出，上海市欧美同学会（上海市留学人员联合会）是中共上海市委领导下的、上海地区归国留学人员自愿组成的、高知性、群众性、统战性群众团体。

市欧美同学会党组成员、常务副会长桂永浩，复旦大学党委副书记、上海医学院党委书记袁正宏，上海医学院党委副书记张艳萍，市欧美同学会徐汇分会会长周秀芬，徐汇区委统战部副部长、区侨办主任、区侨联党组书记张雪梅，复旦大学人类表型组研究院执行院长、市欧美同学会复旦大学分会副会长兼秘书长田梅，上海临床研究中心主任（院长）、原市欧美同学会复旦大学分会副会长、医药卫生二级分会会长朱畴文等出席会议。校内相关部门负责人、部分复旦上医分会理事代表在线参会。以新材料、新器件为基础的先进集成电路与芯片研究中，我国处于领先地位，科研力量充足和积累丰富，如在研发投入支持下到2035年有望主导新体系半导体技术。

复旦大学微电子学院周鹏教授为通讯作者。在鳍式晶体管（FinFET）取得显著成功之后，最先进的新架构如多桥沟道晶体管（MBCFET）和互补型晶体管（CFET）相继出现进一步延续摩尔定律。集成电路技术经历了不断更新迭代，但面对硅材料的固有极限，先进工艺尺寸微缩已变得难以为继。当下2D材料已不仅仅在学术界具有极大的研究价值，英特尔、台积电、IMEC等半导体巨头也纷纷布局。

图2. 基于二维半导体的与硅混合集成用于功能扩展复旦大学微电子学院博士后王水源，硕士生刘笑先，芯片与系统前沿技术研究院青年副研究员刘利伟，浙江大学微纳电子学院徐明生教授为共同第一作者，浙江大学杨德仁院士给予了宝贵的意见。图1. 基于二维半导体的硅上风洞平台用于指导器件/电路优化本工作重点介绍了与硅技术相结合的里程碑式工作，从用于异质光子ICs的2D光电子器件到在硅产线上实现的晶圆级2D晶体管。

例如大多数2D器件和电路只使用硅晶圆作为衬底，而没有真正做到与硅技术的集成。在电路方面全面回顾了现阶段的单片On-Silicon和With-Silicon进展。2D半导体无悬挂键的钝化表面能够将散射效应降到最低，保证了原子级薄层下迁移率不发生退化。该项工作得到了国家自然科学基金委，上海市科学技术委员会，国家重点研发项目资助。

然而，在硅主导的半导体行业中，2D器件与电路的发展仍然缺乏明确和统一的方向。人们正在寻找新的材料来弥补硅的不足，二维（2D）半导体由于其超薄的原子晶体结构和独特物理特性，被认为是极具希望的候选材料。然而，体硅表面和内部缺陷不可避免地导致载流子迁移率在亚4纳米后出现急剧下降。此外，短沟道器件的电流密度与90纳米节点的应力硅晶体管电流密度相当，接近国际器件和系统路线图的高性能和低功耗2028年目标。

并对推向产线所需的晶圆级材料合成、器件设计、电路集成的要求和可行方案进行了讨论。相关长文综述以Two-dimensional devices and integration towards the silicon lines为题发表于《自然·材料》（Nature Materials）。

晶体管物理尺寸遵循登纳德(Dennard)缩放比例，并随着掺杂复杂性和栅极漏电而达到顶峰，随后在架构迭代和优化方面做出努力，以减轻短沟道效应。尽管技术在不断进步，但固有的晶格和量子隧穿限制意味着硅材料微缩在可预见的未来将走向尽头。

鉴于硅技术成熟度，以及2D材料与硅产线前道（FEOL）和后道（BEOL）工艺的兼容性，将它们异质融合到现有硅产线，实现与硅技术功能集成是一种有前景的方案。复旦大学微电子学院周鹏教授团队探索为二维半导体和硅技术搭桥，提出单片硅上（硅作为基底，On-Silicon）和与硅（与硅器件/电路实现功能集成，With-Silicon）概念，聚焦讨论了材料合成、器件设计和电路集成的相应要求，总结了二维材料在以硅为主导的半导体行业中发挥的作用，并提出未来发展方向，以及可能成为主流的技术。最后在总结中对2D材料正在发挥的作用和未来的主流方向进行了展望，包括作为On-Silicon风洞平台引导硅技术向More Moore发展，及利用With-Silicon混合集成为新兴的More than Moore应用扩展功能人们正在寻找新的材料来弥补硅的不足，二维（2D）半导体由于其超薄的原子晶体结构和独特物理特性，被认为是极具希望的候选材料。在电路方面全面回顾了现阶段的单片On-Silicon和With-Silicon进展。然而，体硅表面和内部缺陷不可避免地导致载流子迁移率在亚4纳米后出现急剧下降。

图1. 基于二维半导体的硅上风洞平台用于指导器件/电路优化本工作重点介绍了与硅技术相结合的里程碑式工作，从用于异质光子ICs的2D光电子器件到在硅产线上实现的晶圆级2D晶体管。并对推向产线所需的晶圆级材料合成、器件设计、电路集成的要求和可行方案进行了讨论。

晶体管物理尺寸遵循登纳德(Dennard)缩放比例，并随着掺杂复杂性和栅极漏电而达到顶峰，随后在架构迭代和优化方面做出努力，以减轻短沟道效应。以新材料、新器件为基础的先进集成电路与芯片研究中，我国处于领先地位，科研力量充足和积累丰富，如在研发投入支持下到2035年有望主导新体系半导体技术。

鉴于硅技术成熟度，以及2D材料与硅产线前道（FEOL）和后道（BEOL）工艺的兼容性，将它们异质融合到现有硅产线，实现与硅技术功能集成是一种有前景的方案。复旦大学微电子学院周鹏教授团队探索为二维半导体和硅技术搭桥，提出单片硅上（硅作为基底，On-Silicon）和与硅（与硅器件/电路实现功能集成，With-Silicon）概念，聚焦讨论了材料合成、器件设计和电路集成的相应要求，总结了二维材料在以硅为主导的半导体行业中发挥的作用，并提出未来发展方向，以及可能成为主流的技术。

2D半导体无悬挂键的钝化表面能够将散射效应降到最低，保证了原子级薄层下迁移率不发生退化。尽管技术在不断进步，但固有的晶格和量子隧穿限制意味着硅材料微缩在可预见的未来将走向尽头。然而，在硅主导的半导体行业中，2D器件与电路的发展仍然缺乏明确和统一的方向。集成电路技术经历了不断更新迭代，但面对硅材料的固有极限，先进工艺尺寸微缩已变得难以为继。

图2. 基于二维半导体的与硅混合集成用于功能扩展复旦大学微电子学院博士后王水源，硕士生刘笑先，芯片与系统前沿技术研究院青年副研究员刘利伟，浙江大学微纳电子学院徐明生教授为共同第一作者，浙江大学杨德仁院士给予了宝贵的意见。当下2D材料已不仅仅在学术界具有极大的研究价值，英特尔、台积电、IMEC等半导体巨头也纷纷布局。

该项工作得到了国家自然科学基金委，上海市科学技术委员会，国家重点研发项目资助。复旦大学微电子学院周鹏教授为通讯作者。

相关长文综述以Two-dimensional devices and integration towards the silicon lines为题发表于《自然·材料》（Nature Materials）。最后在总结中对2D材料正在发挥的作用和未来的主流方向进行了展望，包括作为On-Silicon风洞平台引导硅技术向More Moore发展，及利用With-Silicon混合集成为新兴的More than Moore应用扩展功能。

在鳍式晶体管（FinFET）取得显著成功之后，最先进的新架构如多桥沟道晶体管（MBCFET）和互补型晶体管（CFET）相继出现进一步延续摩尔定律。此外，短沟道器件的电流密度与90纳米节点的应力硅晶体管电流密度相当，接近国际器件和系统路线图的高性能和低功耗2028年目标。例如大多数2D器件和电路只使用硅晶圆作为衬底，而没有真正做到与硅技术的集成通过精心的沉积对纤维预制件进行模板化处理（图a），在热拉过程中液膜将预设的间距发生断裂形成纳米线（图b和c），实现规模化制备柔性准材料（图d和e）。

近日，复旦大学航空航天系邓道盛课题组与瑞士洛桑联邦理工大学Prof. Fabien Sorin课题组合作研究了基于拉伸液膜各向异性流动不稳性导致的丝化现象制造纳米线，并通过液膜的模版化处理来实现纳米线二维和三维结构的可控性和自组装。相关研究成果以Controlled filamentation instability as a scalable fabrication approach to flexible metamaterials为题发表于Nature Communications上。

随着柔性电子器件的迅速发展，功能纤维器件在航空航天、信息能源、医疗卫生、可穿戴设备等重要领域有着越来越广泛的应用。图：利用可控拉伸液膜不稳定性制备柔性超材料。

理论上，使用线性稳定性模型理论地分析了液膜稳定性将由预设波长的扰动波主导的物理参数条件，进而断裂形成纳米线。作为一种简单易行、可一次性制造超长纤维的工程技术，热拉工艺随着最近约二十年的发展，目前已集成多种微纳材料进而实现多功能的纤维器件和织物。